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厂商型号

EFC4618R-TR 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 4-Pin EFCP T/R

内部编号

277-EFC4618R-TR

生产厂商

on semiconductor

onsemi

#1

数量:0
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美国费城
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EFC4618R-TR产品详细规格

规格书 EFC4618R-TR datasheet 规格书
EFC4618R
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 5,000
FET 型 2 N-Channel (Dual)
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) -
电流-连续漏极(编号)@ 25°C -
Rds(最大)@ ID,VGS -
VGS(TH)(最大)@ Id -
栅极电荷(Qg)@ VGS -
输入电容(Ciss)@ Vds的 -
功率 - 最大 1.6W
安装类型 Surface Mount
包/盒 4-XBGA, 4-FCBGA
供应商器件封装 EFCP1818-4CC-037
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 4EFCP
通道模式 Depletion
最大门源电压 ±12 V
典型导通延迟时间 200 ns
典型上升时间 815 ns
典型关闭延迟时间 1840 ns
典型下降时间 1770 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±12
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
最低工作温度 -55
包装高度 0.22
渠道类型 N
封装 Tape and Reel
PCB 4
每个芯片的元件数 2
包装宽度 1.81
供应商封装形式 EFCP
包装长度 1.81
最大功率耗散 1600
引脚数 4
FET特点 Standard
安装类型 Surface Mount
供应商设备封装 EFCP1818-4CC-037
FET型 2 N-Channel (Dual)
功率 - 最大 1.6W
封装/外壳 4-XBGA, 4-FCBGA
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
安装风格 SMD/SMT
晶体管极性 N-Channel
源极击穿电压 +/- 12 V
连续漏极电流 6 A
RDS(ON) 23 mOhms
功率耗散 1.6 W
最低工作温度 - 55 C
封装/外壳 EFCP-4
配置 Dual Common Drain
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 24 V
RoHS RoHS Compliant

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